電壓擊穿試驗儀 介電常數與頻率變化的關系

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介電常數與頻率變化的關系 

"介電常數" 在學術文獻中的解釋
1、介電常數是指物質保持電荷的能力，損耗因數是指由于物質的分散程度使能量損失的大小.理想的物質的兩項參數值較小
文獻來源
2、其介質常數具有復數形式，實數部分稱為介電常數，虛數部分稱為損耗因子.通常用損耗正切值(損耗因子與介電常數之比)來表示材料與微波的耦合能力，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強
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3、介電常數是指在同一電容器中用某一物質為電介質與該物質在真空中的電容的比值.在高頻線路中信號傳播速度的公式如下：V＝K
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4、為簡單起見，后面將相對介電常數均稱為介電常數.反射脈沖信號的強度，與界面的波反射系數和透射波的衰減系數有關，主要取決于周圍介質與反射體的電導率和介電常數。
 

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介電常數-應用     
低介電常數薄膜機械性質量測結果 
近十年來，半導體工業界對低介電常數材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門。然而這些低介電常數材料能夠在集成電路生產工藝中應用的速度卻遠沒有人們想象的那么快。其主要原因是許多低介電常數材料并不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業界預計低介電常數材料在集成電路工藝中應用的前景預測。

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早在1997年，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數（k值）將達到1.5。然而隨著時間的推移,這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年，半導體技術規劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數材料在集成電路未來幾年的應用，其介電常數范圍已經變成2.7~3.1。

造成人們的預計與現實如此大差異的原因是，在集成電路工藝中，低介電常數材料必須滿足諸多條件,例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構、高楊氏系數（Young's modulus）、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current＜10-9 at 1MV/cm)、高熱穩定性（thermal stability ＞450oC)、良好的粘合強度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜應力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能夠滿足上述特性的的低介電常數材料并不容易獲得。例如，薄膜的介電常數與熱傳導系數往往就呈反比關系。因此，低介電常數材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

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介電常數 
"介電常數" 在工具書中的解釋
1、又稱電容率或相對電容率，表征電介質或絕緣材料電性能的一個重要數據，常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質為電介質和真空時的電容的比值，表示電介質在電場中貯存靜電能的相對能力。介電常數愈小絕緣性愈好。空氣和CS2的ε值分別為1.0006和2.6左右，而水的ε值特別大，10℃時為 83.83，與溫度t的關系是
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2、介電常數是物質相對于真空來說增加電容器電容能力的度量。介電常數隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大。在化學中，介電常數是溶劑的一個重要性質，它表征溶劑對溶質分子溶劑化以及隔開離子的能力。介電常數大的溶劑，有較大隔開離子的能力，同時也具有較強的溶劑化能力。

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介電常數又叫介質常數，介電系數或電容率，它是表示絕緣能力特性的一個系數，以字母ε表示，單位為法/米 . 它是一個在電的位移和電場強度之間存在的比例常量。這一個常量在自由的空間（一個真空）中是8.85×10的-12次方法拉第/米（F/m）。在其它的材料中，介電系數可能差別很大，經常遠大于真空中的數值，其符號是eo。 在工程應用中，介電系數時常在以相對介電系數的形式被表達，而不是值。如果eo表現自由空間（是，8.85×10的-12次方F/m）的介電系數，而且e是在材料中的介電系數，則這個材料的相對介電系數（也叫介電常數）由下式給出： ε1＝ε / εo＝ε×1.13×10的11次方 很多不同的物質的介電常數超過1。這些物質通常被稱為絕緣體材料，或是絕緣體。普遍使用的絕緣體包括玻璃，紙，云母，各種不同的陶瓷，聚乙烯和特定的金屬氧化物。絕緣體被用于交流電.泡沫塑料用聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚氨基甲酸酯等樹脂制成 聚苯乙烯2.4～2.6 ,介電常數有相對介電常數和有效介電常數之分，平時我們說的介電常數就是相對介電常數，硅的相對介電常數是11.9 .（AC），聲音電波（AF）和無線電電波（射頻）的電容器和輸電線路。 一個電容板中充入介電常數為ε的物質后電容變大ε倍。
 

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目前在超大規模集成電路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發90nm及其以下技術的研究，先后選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數材料。該材料采用PE-CVD技術[8] ，與現有集成電路生產工藝*融合，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數材料與金屬間的隔離層，很好的解決了上述提及的諸多問題，是目前已經用于集成電路商業化生產為數不多的低介電常數材料之一。

電壓擊穿試驗儀50KV

技術要求：
01、輸入電壓： 交流 220 V
02、輸出電壓： 交流 0--50 KV ; 
               直流 0—50 KV
03、電器容量： 3KVA
04、高壓分級： 0-10KV，0--50KV，
05、升壓速率：
 100V/S 
200V/S
 500 V/S 
1000 V/S
 2000V/S  
3000V/S 等
              （備注：滿足標準要求并可以根據用戶需求設定不同的升壓速率）
06、試驗方式：
           直流試驗：1、勻速升壓  2、梯度升壓 3、耐壓試驗 
           交流試驗：1、勻速升壓 2、梯度升壓 3、耐壓試驗
07、電壓擊穿試驗儀 ，試驗介質：空氣，試驗油
08、安裝靈敏度較高的過電流保護裝置保證試樣擊穿時在0.05S內切斷電源。
09、采用智能集成電路進行勻速升壓。
10、支持短時間內短路試驗要求。
11、電壓試驗精度： ≤ 1％。
12、試驗電壓連續可調： 0--50KV。
13、電流可采集到m*。
14、出具*計量單位校準檢定證書或出具客戶計量單位的證書。
15、電源：220V±10%的單相交流電壓和50Hz±1%的頻率。
16、電流電壓穩定度: 外界電源電壓波動10%時